Hadi HIJAZI:

- Post-doctorant à l'ITMO University à Saint Petersbourg

- Ingénieur R&D au LTM, CEA Grenoble

Abdellatif BACHAR :

- Ingénieur Procédé à X-FAB à Cergy-Pontoise

- Ingénieur R&D STMicroelectronics à Tours

Hussein MEHDI :

- Post-doctorant au LTM, CEA à Grenoble

- Ingénieur R&D à l'IMEC (ASM).

M. Aymen MAHJOUB :

- Post-doctorant au LTM, CEA à Grenoble

- Ingénieur R&D au Luxembourg Institute of Science and Technology (LIST)

- Ingénieur Process à LYNRED

Matthieu PETIT : Maitre de Conférence au CinaM à Marseille

Yamina ANDRE : Maitre de Conférence à l'Institut Pascal à Clermont-Ferrand

Mihaela FLORI : Docteur-Ingénieur à l'université Polytechnique de Timisoara, Roumanie

Sanaa BEN KHALIFA : Maitre assistante à la Faculté des Sciences, Université de Sousse,  Tunisie

Samir CHELDA : Ingénieur de recherche et de valorisation, Institut NEEL à Grenoble

Sophie PEDENON : Ingénieur de recherche et de valorisation, Faurecia

Zhigang WENG : Ingénieur, Neusoft, Chine

Sebastian ARABASZ : TEM, SDB and SEM Application Specialist, LABSOFT, Gliwice, Pologne

Romain DUPUIS :
- Doctorant au GET et CEMES à Toulouse
"Calculs réalistes du fractionnement isotopique du silicium et du lithium pour des équilibres impliquant des phases liquides" soutenu en decembre 2014
- Post-doctorant au DIPC (Donostia International Physics Center), Espagne

Raissa DJONDANG : Thèse soutenue à l’Institut des Nanotechnologies de Lyon en octobre 2010
"Spectroscopie optique de boîtes quantiques d InAs sur substrats d InP et de GaAs nanopixel semiconducteur pour l étude de l influence d un champ électrique"

Mohamed Amin ALI : Doctorant au Laboratoire de Physique des Surfaces et Interfaces, Université de Mons, Belgique.

Jean Baptiste CIZEL:
- Thèse soutenue au Laboratoire Leprince-Ringet LLR, école polytechnique, Palaiseau le 9 dec 2016.
- Ingénieur R&D Weeroc

Christine ROBERT-GOUMET, Responsable d'équipe

Luc BIDEUX, Expert en modélisation XPS

Bernard GRUZZA, Expert en spectroscopies électroniques

Guillaume MONIER, Responsable des ressources matériels (Batis ultra-vide, optimisation des méthodes d'analyse)et de la plateforme ESCA de UC-Partner

Philip HOGGAN, Expert en modélisation DFT 

2020 à Grenoble : Matthias Vidal-Dho, (LTM et STMicroelectronics)
Mécanismes de vieillissement liés à la pénétration d’humidité dans les diélectriques à faible permittivité des interconnexions.
Examinatrice de la thèse. Thèse de l’université Grenoble Alpes

2020 à Toulouse : Mohamed BELHAJ (ONERA)
Emission électronique sous une irradiation par des électrons
Rapporteure HDR. Université Paul Sabatier, Toulouse

Le 24/09/2019 à Paris (Jussieu) : Elisa MERIGGIO,
Adsorption of chiral molecules in oxide-supported heterogeneous catalysts : a model approach
Rapporteure. Thèse de Sorbonne Université (LRS et INSP)

Le 17/07/2019 à Clermont-Ferrand : Abdellatif BACHAR
Apport de l'excitation microonde ECR à la pulvérisation réactive pour le dépôt de couches minces SiCxNy : H, étude des propriétés optiques et électriques
Directrice de thèse. Thèse de l’Université Clermont Auvergne (Institut Pascal)

Le 7/06/2019 à Clermont-Ferrand : Guillaume MONIER
L’électron, vecteur d’information en spectroscopie : quantification, nouvelle méthode d’imagerie, application à l’étude de la nitruration par plasma N2 du GaAs
Examinatrice tutélaire de l’HDR. HDR de l’Université Clermont Auvergne (Institut Pascal)

Le 7/03/2019 à Grenoble : Charly FONTAINE,
Analyse par XPS d’empilements High-K Metal Gate de transistors CMOS et corrélation des décalages d’énergie de liaison aux tensions de seuil
Rapporteure. Thèse de l’Université Grenoble Alpes (LTM)

 Le 10/11//2017 à Toulouse : Nicolas FIL,
Caractérisation et modélisation des propriétés d’émission électronique sous champ magnétique pour des systèmes RF hautes puissances sujets à l’effet multipactor.
Rapporteure. Thèse de l'Université de Toulouse (CEA/CNES/ONERA)

Le 22/09/2017 à Marseille : Matthieu PETIT,
Croissance des films minces et interfaces : exemples dans deux familles de matériaux pour la microélectronique
Examinatrice de l’HDR. HDR de l’Université Aix-Marseille (CINaM)

Le 14/09/2017 à Sidi Bel Abbes : Arslane Hatem KACHA,
Caractérisation électrique et photoélectrique des hétéros structures à base des composés III-V nitrurés.
Co-encadrante de la thèse. Thèse de l’université Djillali Liabes (Algérie - AMEL).

Le 1/07/2011 à Clermont-Ferrand : Guillaume MONIER, Nanostructuration de surfaces de GaAs : Oxydation et nitruration.
Examinatrice. Thèse de l'Université Blaise-Pascal.

Le 25/11/2010 à Clermont-Ferrand : Samir CHELDA, Simulation du parcours des électrons élastiques dans les matériaux et strutures. Application à la spectroscopie du pic élastique multi-modes MM-EPES.
Directrice de la thèse. Thèse de l'Université Blaise-Pascal.

Le 27/02/2009 à Clermont-Ferrand : Noureddine ABSI, Contribution à l'étude des interactions électroniques appliquées à la catalyse hétérogène : exemples d'études théoriques d'oxydation ménagée d'alcanes et alcènes sur une surface (001) de cuivre.
Examinatrice. Thèse de l'Université Blaise-Pascal. 

Le 8/11/2004 à Clermont-Ferrand : Matthieu PETIT, Etude par sectroscopies électroniques de la nitruration du phosphure d'indium InP(100).
Directrice de la thèse. Thèse de l'Université Blaise-Pascal.

Le 27/04/2000 à Prague : Radek KAPSA, Etude de la croissance de couches minces  des métaux de transition sur les isolants par spectroscopies électroniques.
Examinatrice. Thèse de co-tutelle entre l'Université Blaise-Pascal et l'Université Charles de Prague. 

2020

1. Journal of Physical Chemistry C (2020) (DOI 10.1021/acs.jpcc.0c02378)
   Dynamics of Gold  droplet formation on SiO2/Si(111) surface
   Hadi Hijazi, Fréderic Leroy, Guillaume Monier, Gabin Grégoire, Evelyne Gil, Agnès Trassoudaine, Vladimir G. Dubrovskii, Dominique Castellucci, Nebile Isik Goktas, Ray R. LaPierre, Yamina André,  Christine Robert-Goumet
2. Eur. Phys. J. Plus (2020) 135:895  (DOI 10.1140/epjp/s13360-020-00916-5)
   A new model of thermionic emission mechanism for non-ideal Schottky contacts and a method of extraction electrical parameters
   H. Helal, Z. Benamara, B. Gonzalez Perez, A.H. Kacha, A. Rabehi, M.A. Wederni, S. Mourad, K. Khirouni, G. Monier, C. Robert-Goumet
3. Nano Express 1 (2020) 020019 (DOI 10.1088/2632-959X/aba7f1)
   Optical and structural analysis of ultra-long GaAs nanowires after nitrogen-plasma passivation
   Y. André, N.I. Goktas, G. Monier, H. Hijazi, H. Mehdi, C. Bougerol, L. Bideux, A. Trassoudaine, D. Paget, J. Leymarie, E. Gil, C. Robert-Goumet, R. R. LaPierre
4. Vacuum 172 (2020) 109097 (doi.org/10.1016/j.vacuum.2019.109097)
   The effect of nitridation on the optical properties of InAs quantum dots grown on GaAs substrate by MBE
   S. Naceur, M. Choubani, B. Smiri, H. Maaref, G. Monier, C. Robert-Goumet, L. Sfaxi, B. Gruzza, and R. Mghaieth

2019

1. Nano Lett. (2019)19, 7, 4498-4504 (DOI: 10.1021/acs.nanolett.9b01308)
   Si doping of vapor-liquid-solid GaAs nanowires: n-type or p-type?
   H. Hadi, G. Monier, E. Gil, A. Trassoudaine, C. Bougerol, C. Leroux, D. Castelluci, C. Robert-Goumet, P. Hoggan, Y. André, N. Isik Goktas, R. LaPierre, V. Dubrovskii

2. Applied Surface Science, 495 (2019) 143586 (DOI : 10.1016/j.apsusc.2019.143586)
   Study of GaN layer crystallization on GaAs(001) using Electron cyclotron resonance or Glow discharge N2 plasma sources for the nitriding process
   H. Mehdi, F. Reveret, C. Bougerol, C. Robert-Goumet, P. E. Hoggan, L. Bideux, B. Gruzza, J. Leymarie, G. Monier

3. Applied Surface Science (2019) 465 787-794 (DOI 10.1016/j.apsusc.2018.09.244)
   DFT and experimental FTIR investigations of early stages of (001) and (111)B GaAs surface nitridation
   G. Monier, P.E. Hoggan, L. Bideux, C. Robert-Goumet, D. Paget, H. Mehdi, S. Kubsky, P. Dumas, C. Robert-Goumet

4. Superlattices and Microstructures 135 (2019) 106276 (doi.org/10.1016/j.spmi.2019.106276)
   Comparative study of ionic bombardment and heat treatment on the electrical behavior of Au/GaN/n-GaAs Schottky diodes
   H. Helal , Z. Benamara, A. H. Kacha, M. Amrani, A. Rabehi, G. Monier, C. Robert-Goumet

2018

1. The Journal of Physical Chemistry C 122 (2018) 19230-19235
   (DOI: 10.1021/acs.jpcc.8b05459)
   Influence of silicon on the nucleation rate of GaAs nanowires on silicon substrates
   H. Hijazi, V. Dubrovskii, G. Monier, E. Gil, C. Leroux, G. Avit, A Trassoudaine, C. Bougerol, D. Castelluci, C. Robert Goumet, Y. Andre
   
2. Applied Surface Science, 444 (2018) 293-302 (DOI 10.1016/j.apsusc.2018.03.040)
   Composition and optical properties tunability of hydrogenated silicon carbonitride thin films deposited by reactive magnetron sputtering
   A. Bachar, A. Bousquet, H. Mehdi, G. Monier, C. Robert-Goumet, L. Thomas, M. Belmahi, A. Goullet, T. Sauvage, E. Tomasella
3. Applied Surface Science 451 (2018) 191-197 (DOI 10.1016/j.apsusc.2018.04.231)
   Thiol-functionalization of Mn5Ge3 thin films
   M.K. Schütz, M.Petit, L. Michez, A. Ranguis, G. Monier, C. Robert-Goumet, J.M.  Raimundo
4. Ultramicroscopy 188 (2018) 13–18 (DOI 10.1016/j.ultramic.2018.02.008)
   Multi-Mode Elastic Peak Electron Microscopy (MM-EPEM): A new imaging technique with an ultimate in-depth resolution for surface analysis
   M.A. Mahjoub, G. Monier, L. Bideux, B. Gruzza, C. Robert-Goumet
5. Applied Surface Science 427 (2018) 662–669 (DOI 10.1016/j.apsusc.2017.08.002)
   Combined angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy, density functional theory and kinetic study of nitridation of gallium arsenide
   H. Mehdi, G. Monier, P.E. Hoggan, L. Bideux, C. Robert-Goumet, V.G. Dubrovskii

2016

1. J. Phys. Chem. C, 120 (21), (2016)  11652–11662
   Synthesis and Study of Stable and Size-Controlled ZnO-SiO2 Quantum Dots: Application as humidity sensor
   M.A. Mahjoub, G. Monier, C. Robert-Goumet, F. Reveret, M. Echabaane, D. Chaudanson, M. Petit, L. Bideux, B. Gruzza
2. Molecular Crystals and Liquid Crystals 627 (2016) 66-73
   Study of the surface state density and potential in MIS diode Schottky using the surface photovoltage method
   A. H. Kacha, B. Akkal, Z. Benamara, C. Robert-Goumet, G. Monier, and B. Gruzza

2015

1. Applied Surface Science 357 (2015) 1268-1273
   XPS combined with MM-EPES technique for in situ study of ultra thin film deposition : application to an Au/SiO2/Si structure
   M.A. Mahjoub, G. Monier, C. Robert-Goumet,  L. Bideux, B. Gruzza
2. Supperlattices and Microstructures 83 (2015) 827-233
   Effect of the GaN layers and the annealing on the electrical properties in the Schottky diodes based on nitrated GaAs
   A.H. Kacha, B. Akkal, Z. Benamara, M. Amrani, A. Rabhi, G. Monier, C. Robert-Goumet, L. Bideux, B. Gruzza
3. Eur. Phys. J. Appl. Phys. 72 (2015)10102, 1-6
   Study of the Characteristics Current–Voltage and Capacitance–Voltage in nitride GaAs Schottky diode
   A.Rabehi, M. Amrani, Z. Benamara, B. Akkal, A. H. Kacha, C. Robert-Goumet, G. Monier, B.     Gruzza

2014

1. Surface and Interface Analysis 46 (2014)283-288
   Energy dependance of the energy loss function parametrization of indium in the Drude-Lindhard model
   N. Pauly, A. Dubus, G. Monier, C. Robert-Goumet, M.A. Mahjoub, L. Bideux, B. Gruzza
2. Nano Lett. 14 (2014) 3938-3944
   Record Pure Zincblende Phase in GaAs Nanowires down to 5 nm in Radius
   E. Gil, V. Dubrovskii, G. Avit, Y. André,  C. Leroux, K. Lekhal, J. Grecenkov, A. Trassoudaine, D. Castelluci, G. Monier, R. Ramdani, C. Robert-Goumet, L. Bideux, J.C. Harmand, F. Glas
3. Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 197 (2014) 80-87
   New method for the determination of the correction function of a hemisperical electron analyser based on elastic electron images in press
   M.A. Mahjoub, G. Monier, C. Robert-Goumet, L. Bideux, B. Gruzza

2013

1. Surface Science 618 (2013) 72-77
   Development of Monte-Carlo simulations for nano-patterning surfaces associated with MM-EPES analysis – Application to different Si(111) nanoporous surfaces.
   C. Robert-Goumet, M.A. Mahjoub, G. Monier, L. Bideux, S. Chelda, R. Dupuis, M. Petit, P. Hoggan, B. Gruzza
2. Advanced Materials Research Vol. 685 (2013) 179-184
   Analysis of C-V Characteristics of InP(p)/InSb/Al2O3/Au MIS Structures in Wide Temperature Range
   M. A. Benamara, A. Talbi, Z. Benamara, B. Akkal, N. Chabane Sari, B. Gruzza , C. Robert-Goumet

2012

1. Phys. Status Solidi C, 1–4 (2012)
   Carbon diffusion and reactivity in Mn5Ge3 thin films
   M. Petit, M.T.Dau, G. Monier, L. Michez, X. Barre, A. Spiesser, V. Le Thanth, A. Glachant, C. Coudreau, L. Bideux, C. Robert-Goumet
2. Surface Science (2012) Vol 606, Issues 13–14, 1093-1099
   Passivation of GaAs (001) surface by the growth of high quality c-GaN ultra-thin film using low power glow discharge nitrogen plasma source
   G. Monier, L. Bideux, C. Robert-Goumet, B. Gruzza, M. Petit, J. L. Lábár, M.Menyhárd
3. Solid State Electronics (2012) Vol 72, Pages 29-37
   Comparison of InP Schottky diodes based on Au or Pd sensing electrodes for NO2 and O3 sensing
   C. Varenne, A. Ndiaye, J. Brunet, L. Spinelle, G. Monier, A. Pauly, L. Bideux, B. Lauron, C. Robert-Goumet

2011

1. Sensor Letters, vol 9, 2268-2271 (2011)
   Study of the Characteristics Current–Voltage and Capacity–Voltage of Hg/GaN/GaAs Structures
   K. Ameur, H. Mazari, S. Tizi, R. Khelifi, Z. Benamara, N. Benseddik, A. Chaib, N. Zougagh, M. Mostefaoui, L. Bideux, G. Monier, B. Gruzza, and C. Robert-Goumet

2010

1. Surface Science, 604 (2010) 217-226
   Monte Carlo simulation for Multi-Mode Elastic Peak Electron Spectroscopy of crystalline materials : effects of surface structure and excitation
   B. Gruzza, S.Chelda, C. Robert-Goumet, L. Bideux, G. Monier
2. Nano Lett., 10(5) (2010), 1836–1841
   Fast growth synthesis of GaAs nanowires with exceptional length
   M.R. Ramdani, E. Gil, C. Leroux, Y. André, A. Trassoudaine, D. Castelluci, L. Bideux, G. Monier, C. Robert-Goumet, R. Kupka
3. Metalurgia International 15 (2010) 5-9
   M. Flori, B. Gruzza, L. Bideux, G. Monier, C. Robert-Goumet, M. Krawczyk
   Surface analysis of a plasma-nitrided structural steel

2009

1. Surface Science, 603 (2009) 2923-2927
   SEM and XPS studies of nanohole arrays on InP(1 0 0) surfaces created by coupling
   AAO templates and low energy Ar+ ion sputtering
   C. Robert-Goumet, G. Monier, B. Zefack, S. Chelda, L. Bideux, B. Gruzza, O.K.Awitor
2. Journal of Crystal Growth 311 (2009) 2608-2614
   S.Ben Khalifa, F.Saidi, C.Robert-Goumet, B.Gruzza, H.Maaref, L.Bideux, F.Hassen
   Growth study of thin indium nitride layers on InP (100) by Auger electron spectroscopy and photoluminescence.
3. Applied Surface Science, Volume 256, Issue 1, 15 October 2009, Pages 56-60
   XPS study of the O2/SF6 microwave plasma oxidation of (011) GaAs surfaces
   G. Monier, L. Bideux, O. Desplats, C. Fontaine, C. Robert-Goumet, B. Gruzza
4. Applied Surface Science, Volume 255, Issue 22, 30 August 2009, Pages 9206-9210
   First stages of surface steel nitriding: X-ray photoelectron spectroscopy and electrical measurements
   M. Flori, B. Gruzza, L. Bideux, G. Monier, C. Robert-Goumet, Z. Benamara
5. Sensor Letters, Volume 7, Number 5, October 2009 , pp. 712-715(4)
   Z. Benamara, N. Mecirdi, B. Akkal, H. Mazari, M. Chellali, B. Gruzza, S. Ben Khalifa, C. Robert-Goumet, G. Monier, L. Bideux
   Electrical characterization and electronic transport modelization in the InN/InP structures 
6. Accepté à Sensor Letter (2009)
   Electrical characterization of n+-GaAs/GaN-n heterojunction, with quantum effect
   N. Mecirdi, Z. Benamara, N. Bachir Bouiadjra, B. Gruzza, L. Bideux, C. Robert

2008

1. Surface Science, 602 (2008), 2114-2120
   S. Chelda, C. Robert-Goumet, B. Gruzza, L. Bideux, G. Monier
   “Effect of surface roughness on EPES and AREPES measurements: Flat and crenels silicon surfaces”
2. Applied Surface Science, Volume 254, Issue 15, (2008) 4738-4743
   A study of the 42CrMo4 steel surface by quantitative XPS electron spectroscopy
   M. Flori, B. Gruzza, L. Bideux, G. Monier, C. Robert-Goumet
3. Surface and Coatings Technology, Volume 202, Issue 24, 15 August 2008, Pages 5887-5894
   XPS, EPMA and microstructural analysis of a defective industrial plasma-nitrided steel
   M. Flori, B. Gruzza, L. Bideux, G. Monier, C. Robert-Goumet, J.P. Cherré, H. de Baynast
   
4. Applied Surface Science, Volume 254, Issue 13, (2008) 4150-4153
   L. Bideux, G. Monier, V. Matolin, C. Robert-Goumet, B. Gruzza
   XPS study of the formation of ultrathin GaN film on GaAs(100)
5. Journal of Luminescence, Volume 128 (2008) 1611-1616
   S.Ben Khalifa, B.Gruzza, C.Robert-Goumet, M.Hjiri, L.Bideux, F.Saidi, L.Bèji, G.Bremond, H.Maaref
   Morphology and optical properties of p-type porous GaAs(100) layers made by electrochemical etching

2007

1. Applied Surface Science 253 (2007) 4445-4449
   Combined EELS, LEED and SR-XPS study of ultra-thin crystalline layers of Indium Nitride on InP(100) - Effect of annealing at 450°C -
   C. Robert-Goumet, M. Petit, L. Bideux, G. Monier, B. Gruzza, V. Matolin, T. Skala, N. Tsud, K.C. Prince
2. Surface Science 601 (2007) 3722
   Interaction of hydrogen with InN thin films elaborated on InP(100)
   M. Krawczyk, A. Bili?ski, J.W. Sobczak, S. Ben Khalifa, C. Robert-Goumet, L. Bideux, B. Gruzza, G. Monier
3. Surface Science 601 (2007) 4531
   Study of porous III-V Semiconductors by electron spectroscopies (AES and XPS) and optical spectroscopy (PL). Effect of ionic bombardment and nitridation process
   S. Ben Khalifa, B. Gruzza, C. Robert-Goumet, L. Bideux, G. Monier, F. Saidi, R. M’Ghaieth, M. Hjiri, R. Hamila, F. Hassen , H. Maaref, G. Bremond, L. Beji

2006

1. Applied Surface Science, Volume 252, Issue 22, 2006, Pages 7890-7894
   XPS, electric and photoluminescence-based analysis of the GaAs(100) nitridation
   Z. Benamara, N. Mecirdi, B. Bachir Bouiadjra, L. Bideux, B. Gruzza, C. Robert, M. Miczek, B. Adamowicz
2. Materials Science and Engineering: C, Volume 26, Issues 2-3, (2006), Pages 378-382
   Room temperature photoluminescence studies of nitrided InP(100) surfaces
   S. Arabasz, B. Adamowicz, M. Petit, B. Gruzza, Ch. Robert-Goumet, T. Piwonski, M. Bugajski and H. Hasegawa
3. Materials Science and Engineering A 437(2006) 254-258
   Nitridation of InP(100) substrates studied by XPS spectroscopy and electrical analysis
   A. Talbi, Z. Benamara, B. Akkal, B. Gruzza, L. Bideux, C. Robert, C. Varenne, N. Chami

2005

1. Surf. Interface Anal. 2005; 37: 615–620
   Passivation of InP(100) substrates: first stages of nitridation by thin InN surface overlayers studied by electron spectroscopies
   M. Petit, C. Robert-Goumet,1 L. Bideux, B. Gruzza, V. Matolin,S. Arabasz, B. Adamowicz, D. Wawerand M. Bugajski

2004

1. Applied Surface Science, Volume 234, Issues 1-4, (2004), Pages 451-456
   Auger electronic spectroscopy and electrical characterisation of InP(100) surfaces passivated by N2 plasma
   M. Petit, Ch. Robert-Goumet, L. Bideux, B. Gruzza, Z. Benamara, N. Bachir Bouiadjra and V. Matolin
2. Surface Science 566–568 (2004) 856–861
   IMFP measurements near Au–Ni alloy surfaces by EPES: indirect evidence of submonolayer Au surface enrichment
   M. Krawczyk, L. Zommer, J.W. Sobczak, A. Jablonski, M. Petit, C. Robert-Goumet, B. Gruzza
3. Surface science (2004) , Volume : 566-68 , p. : 1158 – 1162
   Surface modification of GaAs during argon ionic cleaning and nitridation: EELS, EPES and XPS studies 
   L. Bideux, D. Baca, B. Gruzza, V. Matolin and C. Robert-Goumet
4. Proceeding Elspec’2004
   Première Conférence Francophone sur les spectroscopies d’Electrons .
   La spectroscopie des électrons élastiques et l’analyse des surfaces par EPES (Elastic peak electron spectroscopy)
   B. Gruzza, P. Tomkiewicz, C. Robert-Goumet, L. Bideux

2003

1. Appl. surf. sci., 2003 , vol. 212-13 , pp. 601 – 606
   M. Petit, Y. Ould-Metidji, Ch. Robert,  L. Bideux, B. Gruzza, V. Matolin
   First stages of the InP(100) surfaces nitridation studied by AES, EELS and EPES
2. Applied Surface Science, Volume 212-213, (2003), Pages 667-673
   EPES applied to the study of gold/alumina interfaces
   B. Gruzza, C. Robert and L. Bideux

2002

1. Vacuum 67 (2002) 125-129
   B. Gruzza, B. Akkal, L. Bideux, Z. Benamara, S. Merle, C. Robert
   Study and characterization of the structures Au/Al2O3/Si and Au/Al0/Al2O3/Si
2. Materials Sciences and Engineering C 21 (2002) 1-2 p237-240
   B. Gruzza, C. Robert, L. Sfaxi, L. Bouzaiene, F. Hassen, H. Maaref
   Study of AlxGa1-xAs/GaAs heterostructures by EPES method
3. Surf. interface anal.., 2002 , vol. 33 , no 1 , pp. 23 – 28
   M. Krawczyk, A. Jablonski, L. Zommer, J. Toth, D. Varga, L. Kover, G. Gergely, M. Menyhard, A. Sulyok, Zs Bendek, B. Gruzza, C. Robert
   Determination of inelastic mean free paths for AuPd alloys by elastic peak electron spectroscopy (EPES)

2001

1. Applied Surface Science, 175-176 (2001) p656-662
   B.Gruzza, S.Merle, L.Bideux, C.Robert, L.Kover, J.Toth, V.Matolin
   UHV aluminium oxide on silicon substrates : electron spectroscopies analysis and electrical measurements.
2. Vacuum 63 (2001) 229-232
   Y. Ould-Metidji, L. Bideux, V. Matolin, B. Gruzza, C. Robert
   Nitridation of InP(100) surface studied by AES and EELS spectroscopies.
3. Vacuum  (2001) , vol. 62 , no 4 , pp. 315 - 320
   S. Tizi, Z. Benamara, M. Chellali, A. Talbi, B. Gruzza, S. Merle, C. Robert
   “Effect of InSb buffer layer in MIS structures based on InP”
4. Surface and Interface Analysis 31 (2001) 415-420
   M. Krawczyk, L. Zommer, A. Jablonski, C. Robert, J. Pavluch, L. Bideux, B. Gruzza
   Electron inelastic mean free paths (IMFPs) in binary Au-Cu alloys determined by elastic peak electron spectroscopy

2000

1. Mater. sci. eng., B, Solid-state mater. adv. technol., vol. 77 , no 1 (2000), 19 - 23
   M. Chellali, B. Akkal, S. Tizi, Z. Benamara, B. Gruzza, C. Robert, L. Bideux
   Effect of InSb layer on the interfacial and electrical properties in the structures based on InP
2. Surf. Interface Anal. 30 (2000) 341-345
   C. Robert, S. Zuber, L. Bideux, S. Merle, B. Gruzza, V. Nehasil, V. Matolin
   Angular distribution of electrons elastically reflected from polycrystalline metals : Pd, In
3. Surf. Interface Anal. 30 (2000) 202-206
   D. Varga, L. Kover, J. Toth, K. Tokesi, B. Lesiak, A. Jablonski, C. Robert, B. Gruzza, L.Bideux
   Determination of yield ratios of elastically backscattered electrons for deriving inelastic mean free paths in solids

1999

1. Applied Surface Science 144-45 (1999) 173-177
   G. Gergely, A. Sulyok, M. Menyhard, J. Toth, D. Varga, A. Jablonski, M. Krawczyk, B. Gruzza, L. Bideux, C . Robert
   Experimental determination of the inelastic mean free path of electrons in GaSb and InSb
2. Microelectronics Journal 30 (1999) 625-629
   B. Gruzza, C. Robert, L. Bideux, J.M. Guglielmacci
   A study of the Au/Pd interface formation using the EPES method
3. Applied Surface Science 142 (1999) 465-469
   S. Zuber, V. Nehasil, J. Pavluch, C. Robert, B. Gruzza, V. Matolin
   Abilities of EPES in the field of the thin films growth investigation : Au on Al2O3
4. Journal of Surface Analysis vol 5 (1999) n°1 90-93
   B. Gruzza, C. Robert, L. Bideux, B. Peuchot, A. Jablonski
   Angular distribution of elastically backscattered electrons and the depth of electron penetration
5. Vacuum 54 (1999) 201-204
   G. Gergely, A. Barna, A. Sulyok, C. Jardin, B. Gruzza, L. Bideux, C. Robert, J. Toth, D. Varga
   Crystalline effects in elastic peak electron spectroscopy

1998

1. Thin Solid Films 317 (1998) 210-213
   C. Robert, L. Bideux, B. Gruzza, M. Cadoret, T. Lohner, M. Fried, E. Vazsonyi, G. Gergely
   "Spectroellipsometry and electron spectroscopy of porous Si thin films on p+ substrates"
2. Surface and Interface Analysis 26 (1998) 177-181
   L. Bideux, S. Merle, C. Robert, B. Gruzza, Z. Benamara, S. Tizi, M. Chellali
   "Passivation of III-V compounds used for Metal-Insulator-InP(100) structures"
3. Mathematics and Computers in Simulation 47 (1998) 419-427
   C. Robert, B. Gruzza, L. Bideux, P. Bondot
   "A Monte Carlo study for electron elastic backscattering based on layered models for substrates"
4. Vacuum 50 (1998) n°1-2, 237-242
   B. Gruzza, C. Robert, B. Peuchot, L. Bideux
   "Electrons elastically backscattered from Al, Ag and Au samples"
5. Surface and Interface analysis 26 (1998) 903-907
   L. Bideux, C. Robert, S. Merle, B. Gruzza, E. Goumet, E. Gil-Lafon
   Some applications of elastic peak electron spectroscopy for semiconductor surface studies

1997

1. Applied Surface Science 115 (1997) 111-115
   C.Robert, L. Bideux, B. Gruzza, E. Vazsonyi, G. Gergely
   "Elastic reflection of electrons by porous silicon layers (PSL) surfaces. Effects of porosity"
2. Semicond. Sci. Technol. 12 (1997) 1429-1432
   C. Robert, L. Bideux, B. Gruzza, T. Lohner, M. Fried, A. Barna, K. Somogyi, G. Gergely
   "Ellipsometry of Al2O3 thin films deposited on Si and InP"
3. Synthetic Metals 90 (1997) 229-232
   Z. Benamara, S. Tizi, M. Chellali, B. Gruzza, L. Bideux, C. Robert
   "Electrical characterization of alumina layers deposited by evaporation cell on Si and restructured InP substrates"

1996

1. Surface Science 352/354 (1996) 407-410
   L.Bideux, C.Robert, B.Gruzza, V.Matolin, Z.Benamara
   " Study of Al2O3condensation on Si(100) and InP(100) substrates"
2. Thin Solid Film, vol 289, 1-2 (1996) 295-299
   V. Matolin, V. Nehasil, L. Bideux, C.Robert, B. Gruzza
   "Vacuum evaporation of thin alumina layers"

1995

1. Vacuum, 46, 5/6 (1995), 493-495
   B.Gruzza, L.Bideux, C.Robert, G.Salace, E.Vazsonyi, G.Peto, L.Guczi, G.Gergely
   " Interdisciplinary surface studies on porous silicon Si (PSi) - I - Elastic peak electron spectroscopy (EPES), valence band XPS and atomic force microscopy (AFM)."

Thèses :

Hadi HIJAZI, Thèse d'Université
Croissance de nanofils semiconducteurs III-V et étude de leur passivation à l'azote
Soutenue le 25 octobre 2019

Abdelatif BACHAR, Thèse d'Université
Développement d'un nouveau procédé plasma pour le dépôt de couches minces fonctionnelles et amélioration des perfprmances des cellules photovoltaiques de silicium
17 Juillet 2019

Hussein MEHDI, Thèse d'Université
Etude de la passivation du GaAs(100) par nitruration par plasma N2 sous ultra-vide
Soutenue le 18 Décembre 2018

Arslane KACHA, Thèse d'Université, Université Djillali Liabbes, Sidi Bel Abbès
Caractérisations électriques et photoélectriques d'hétérostructures à base de composés III-V nitrurés
Soutenue le 19 Avril 2017

Aymen Mohamed MAJHOUB, Thèse d'Université
Contribution aux études quantitatives par spectroscopies électroniques (EPES et XPS) : Application aux surfaces nanostructurées
Soutenue le 19 Janvier 2016

Guillaume MONIER, Thèse d’Université, 
NANOSTRUCTURATION DE SURFACE DE GaAs : OXYDATION ET NITRURATION
Soutenue le 1 Juillet 2011

CHELDA Samir, Thèse d’Université, 
Simulation du parcours des électrons élastiques dans les matériaux et structures. Application à la spectroscopie élastique multi-modes MM-EPES.
Soutenue le 25 novembre 2010.

BEN KHALIFA Sanaa, Thèse d’Université,
Elaboration d'hétérostructures et de nanostruictures de semiconducteurs III-V : caractérisations physico-chimique, optique et électrique.
Soutenue le 20 octobre 2008.

PETIT Matthieu, Thèse docteur-Ingénieur,
Etude par spectroscopies électroniques de la nitruration du phosphure d’indium(100)
Soutenue le 8 novembre 2004.

MINAMAT: Regroupement de 3 équipes de l'Institut Pascal :

- ANR FIDEL : NanoFIls d'InGaN pour la réalisation de Diodes Electroluminescentes

Programmes transversaux de l'Institut Pascal :

- Fonctionalisation de nanofils avec l'axe GePEB de l'IP

  UBP Start (Solutions en Techniques d’Analyse et Ressources Technologiques) :

- Institut de chimie de Clermont : axe Chimie et Matéraux

- Photonis 

- 40 30 Solutions Provider : Expertise pour les spectroscopies électroniques XPS, AES.

• depuis 2012 :
  Responsable de l'équipe "Surfaces et Interfaces" (S&I) de l'axe PHOTON de l'Institut Pascal UMR CNRS 6602
  Membre du conseil scientifique de l'IP
  
• depuis 2016 :
  Membre du comité "Spectroscopies d'électrons" de la Société Francaise du Vide (SFV)
• 2012-2018 :
  Responsable du groupe MINAMAT de l'axe PHOTON de l'Institut Pascal UMR 6602
  Membre suppléante du comité CNU28ème section
• 2007- 2009 :   
  Membre titulaire et assesseur de la commission de spécialistes 28ème section de l’Université Blaise Pascal (UBP)
• 2006 -2010 :       
  Membre élu du conseil de laboratoire (LASMEA)
• 2006-2008 :        
  Membre titulaire de la commission de spécialistes 28ème section de l’UBP
• 2004-2007 :    
  Membre suppléante de la commission de spécialistes 28-63-61ème section de l’Université d’Auvergne
• 2004-2006 :       
  Membre suppléante de la commission de spécialistes 28ème section de l’UBP
• 2001-2003 :       
  Membre titulaire de la commission de spécialistes 28ème section de l’UBP

Equipe de Recherche "Surfaces et Interfaces"

Thèmatique: Elaboration et caractérisation de surfaces nanostructurées sous ultra-vide et modélisations avancées.

Responsable ou Contact :

Christine ROBERT-GOUMET, robert@univ-bpclermont.fr,

TEL : 00 33 (0)4 73 40 51 61, FAX : 00 33 (0) 4 73 40 73 40.

Equipe Surfaces et Interfaces

• Labex IMOBS3, Défi 3 : Action PHOTOPLAS : C. Robert-Goumet et E. Tomasella de l’ICCF, année 2016-2018 et Action PHOTOPLAS-Extension, année 2019 : "Développement d'un nouveau procédé plasma pour l'élaboration de couches mices fonctionnelles et l'amélioration des performances de cellules photovotaiques (PV) silicium"

• CAP 20-25 : Programme Hub-Innovergne Chèque Innovation-Recherche, année 2019 : "Développement d'une nouvelle imagerie 3D basée sur la rétrodiffusion des électrons par une surface bombardée électroniquement".

• Contrat de collaboration Scientifique entre l’IP et le CRAPC (Centre de Recherche Scientifique et technique en Analyses Physico-Chimiques) : « synthèse de nanofils semiconducteurs pour des applications dans le domaine de l’énergétique et de la détection »

• Allocations d'heures de calculs :

            PRACE Allocation de temps de calcul sur supercalculateur : 41.6Millions d’heures sur             IRene_knl : projet PROMISE :" Platinum Reaction Observed by Monte-Carlo for Insight into Sustainable Energy"

            DARI numéro A0030807351 (sur le supercalculteur ADA (à l'IDRIS CNRS)): 2017. Allocation de 800 000h avec un bonus de 20% accordé pour finaliser.

• FUNPROB (2011-2015) : FP7-PEOPLE-2010, Marie Curie Actions—International Research Staff Exchange Scheme (IRSES), proposing to use III-V semiconductor nanowires as functioning sensors at the apex of scanning probes.

The primary goal of this joint research program is to develop an integrated NW scanning probe that exhibits advanced functionalities. The creation of such a probe will facilitate both fundamental and applied research. It will lead to new applications and bridge the gap across traditional divides including the physical sciences and biomedical sciences. The fabrication process will consist of controlling the growth of III-V semiconductor NWs with the ability to fine tune their physical, chemical and optical properties. These NWs will subsequently be integrated into a SPM probe. We will develop new theoretical models to predict their response characteristics and optimise the growth. The results of this work will feed directly into the probe development section of the programme.

• Run to the Synchrotron ELETTRA (Italie) : RUN on the Material Science beamline. SR-XPS study of ultra-thin crystalline layers of Indium Nitride on InP(100) - Effect of annealing at 450°C.

• Run to the Synchrotron SOLEIL (France) : RUN on the SMIS beamline (June 2012).  Studies by absorption method FTIR of the nitridation by wet and plasma N₂ methods in collaboration with the LPMC (Palaiseau) and the IOFFE of St Petersburg.

• Projet déposé au GENCI, Grand Equipement National de Calcul Intensif: DARI 2012

• Partenariat Hubert Curien (PHC) Tassili : coopération scientifique franco-algérienne avec le laboratoire AMEL de Sidi Bel Abbes, Z. BENAMARA

• Coopération avec l'université Libre de Bruxelles, Faculté des Sciences appliquées/école polytechnique - Physique et Mathématique (unité ULB371), N. PAULY

• Coopération avec l'université Charles de Prague, Department of Surface and Plasma Science, Surface Physics Group, V. MATOLIN

• Coopération avec l'ecole Polytechnique de Palaiseau, Laboratoire de Physique de la Matière Condensée, Groupe Electrons Photons Surfaces, D. Paget

• Coopération avec l'université d'Aix-Marseille : Laboratoire CINaM-CNRS,groupe Science et techonologie des nano objets, M. PETIT

Responsable de l'Equipe de recherche "Surfaces et Interfaces" -

Axe PHOTON Groupe MINAMAT de l'Institut Pascal.

Ecole Universitaire de Physique et d'Ingénierie (EUPI, ex Département de Physique)

Campus Scientifique des Cézeaux

63177 Aubière Cedex

tel : 00 33 (0) 473 40 5161 

fax : 00 33 (0) 473 40 7340

2017 : Youness CHAIB
Master M2 Physique Fondamentale
Etudethéoriquepar DFT et Dynamique Car Parrinello de la nitruration de nano-structures de GaAs (ex nanofils)

2015-1 : Hussein MEHDI
Master M2 Physique Fondamentale
Etude par XPS, FTIR et RBS des couches minces SiCN-H élaborées par PVD

2014-1 : Mariam AMER
Master M2 Physique Fondamentale
Study of Na?SiF? powder by XPS and preparation of a synchrotron run

2013-1 : Zhigang WENG, Juillet 2013
Master M2 Physique Fondamentale
Etude par spectroscopies électroiques et par DFT de surfaces III-V nitrurées à l'aide d'une nouvelle source plasma

2012-1 : Mohamed Aymen MAHJOUB, Juillet 2012 Master M2 Recherche Physique Fondamentale parcours Matériaux et Nanostructures,
Développement de simulations Monte Carlo décrivant le cheminement des électrons dans la matière adaptées à des interfaces complexes

2012-2 : Caroline LEMAITRE, Juin 2012
Master M1 Physique Fondamentale
Conception de structures de nitrures d’éléments III sur substrats semi-conducteurs III-V

2011-1: Romain DUPUIS, Juillet 2011
Master M2 Recherche Physique Fondamentale parcours Matériaux et Nanostructures,
Simulation Monte-Carlo du cheminement des électrons élastiques dans la matière- application à des surfaces nano-transformées

2010-1: MAYORDOMO CARRASCO Iñigo, Juillet 2010
Projet de fin d’études- ecole d'ingenieurs - echange ERASMUS.
Réalisation de masques d’alumine nano-poreux. Fabrication of anodic aluminium oxide template

2009-1 : SLEIMAN Elias - Juin 2009
Master M2 Recherche Physique Fondamentale parcours Matériaux et Nanostructures
Réalisation de surfaces nano-poreuses de semiconducteurs GaAs(100) et InP(100) à l'aide de masques AAO. Etude par spectroscopie XPS et par microscopie à balayage (MEB)

2009-1: CIZEL Jean Baptiste - Juin 2009
Master M1 Physique-Chimie
Réalisation de masques d'alumine nano-poreux par voie électrochimique

2008-1: ZEFACK Bienvenu - Juillet 2008
Master M2 Recherche Optoélectronique Microélectronique Electromagnétisme
Etude et restructuration des surfaces des semiconducteurs GaAs(100) et InP(100) par spectroscopie XPS et par microscopie à balayage (MEB)

2007-1: DALLE Nicolas- Juillet 2007
Master M1 mention Physique spécialités physique
Simulations Monte-Carlo du cheminement des électrons à l’intérieur des matériaux – Application aux surfaces rugueuse

2006-1: DJONDANG Raïssa - Juillet 2006
Master M2 Recherche Optoélectronique Microélectronique Electromagnétisme
Etude de faisabilité de composés nano-structurés à base d’InP (100) suivi par spectroscopies (AES, EPES, XPS) et microscopies (MEB et AFM)

2006-1: DEFELIX Romain - Septembre 2006
Stage d’ingénieur 2ème année CUST,
Etude par AFM/STM de couches de nitrures d’indium sur InP(100)

2005-1: EL M’ZAKAR Mohamed - Juillet 2005
Master M1 mention Physique
Calculs et détermination des libres parcours moyens inélastiques dans les structures du type InN/InP(100) par spectroscopie de photoélectrons

2003-1: PEDENON Sophie, Maitrise de Sciences Physiques, juin 2003
Etude de la nitruration de surfaces InP(100)

2002-2: NDYAJ Jilali, DEA de Physique option Matériaux, juin 2002
Etude de la nitruration d’InP(100) par spectroscopies AES et EPES

2002-1: ARABASZ Sébastian,
Master of Science, "Computer Analysis of Cathodoluminescence from III-V Semiconductor Surfaces", Gliwice 2002, Silesian University of Technology, Gliwice, Poland

• 2009 et 2014 : Qualification à la fonction de Professeur des Universités en section 28.
• 2008 : HDR, Université Blaise Pascal.
• 1998 : Maitre de Conférence, Université Blaise Pascal, UFR Sciences et Technologies,
           département de Physique.
• 1997 : Qualification à la fonction de Maître de Conférences en section 28 et 63
            ATER, Université Blaise Pascal, UFR Sciences et Technologies, département de Physique
• 1996 : ATER, Université Blaise Pascal, UFR Sciences et Technologies, département de Physique.
            Doctorat d'Université, spécialité Physique du Solide, Université Blaise-Pascal (Clermont II),

Coté Enseignement :

• 2010- 2012 :
  Directrice des Etudes de Première Année (DEPA) à l'UFR Sciences et Technologies.
  Responsable de la 1ère année de la Licence "Physique et Ingénierie".
• 2008- 2010 :
  Directrice des Etudes de Première Année (DEPA) à l'UFR Sciences et Technologies.
  Coordinatrice de la physique, classe préparatoire Intégrée Internationale de Chimie, CP2I.
• 2006-2008 :    
  Membre élu du conseil du Département de Physique de l’Université Blaise-Pascal (UBP)
  Membre titulaire de la commission des Etudes de l’UFR Sciences et Technologies.
• 2002-2004 et 2004-2006 :
  Membre élu du conseil du Département de Physique de l’UBP
  Vice-présidente du département de Physique de l’UBP
  Trésorière du département de physique de l’UBP
  Membre titulaire de la commission des finances de l’UFR ST
  Membre de la commission de la pédagogique et de la communication du département de Physique.